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    首頁 新聞中心 技術(shù)文章|400G SR8光模塊應用中關(guān)于MT及MPO連接器的Core Dip指標研究
    2019-01-30

    技術(shù)文章|400G SR8光模塊應用中關(guān)于MT及MPO連接器的Core Dip指標研究

    技術(shù)文章|400G SR8光模塊應用中關(guān)于MT及MPO連接器的Core Dip指標研究

    蘇州天孚光通信 張雨 / 29-Jan-2019

    線纜連接器產(chǎn)品線

    及戰(zhàn)略規(guī)劃部

    1.Core Dip指標概述

    1)Core Dip描述:由于光纖的纖芯相對于包層材質(zhì)較軟,因此在研磨過程中更容易被切削,從而形成纖芯(相對于包層)的凹陷,稱之為“Core Dip”。如下圖所示,即多模MT/MPO產(chǎn)品的光纖纖芯“Core Dip”

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    2)Core Dip影響:光纖纖芯的內(nèi)凹陷會造成MT/MPO產(chǎn)品端接時,光纖之間形成“Air Gap空隙間隙”,從而直接(主要)影響到系統(tǒng)“Return Loss回波損耗”指標

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    3)Core Dip指標的測量:基于IEC 61300-3-30定義如下所示,推薦使用紅光,至少綠光干涉儀,更適合測量微觀連續(xù)曲面,可以提升測量的精度,以及重復性和再現(xiàn)性。

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    4)Core Dip指標與Return Loss回波損耗的對應關(guān)系:

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    備注:Return Loss定義為相同規(guī)格的MT/MPO產(chǎn)品對接測試,而不是對直接對空氣的反射備注:Core Dip指標正數(shù)表示“凹陷”,負數(shù)表示“凸出”

    2.多模高速光模塊對端接回波損耗指標的要求

    1)40G100G SR4光模塊

    信號制式:10G/25GNRZ信號

    RL回波損耗要求:20~30dB

    Core Dip規(guī)格:<150nm

    2)400G SR8光模塊

    信號制式:50GPAM4信號

    RL回波損耗要求:>40dB

    Core Dip規(guī)格:<50nm

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    3)行業(yè)現(xiàn)狀介紹

    隨著高速光模塊的信號制式由NRZ信號過渡到PAM4信號,從眼圖上可以直觀的看到,系統(tǒng)對于“噪聲”更為敏感,而降低系統(tǒng)端接處的背向反射Back-reflection(即提升Return Loss回波損耗)成為一個不得不去考慮的重要因素

    多模高速光模塊在客戶使用端的實際“端接”回波損耗由兩個因素決定:

    A,光模塊光接口(MT)的Core Dip指標

    B,終端客戶采購的MPO/MTP Patchcord連接器的Core Dip指標

    光模塊廠商可以要求其MT線纜連接器供應商去管控Core Dip指標,但對于其最終用戶(例如Data Center客戶)選購的MPO/MTP Patchcord質(zhì)量評估卻是一個未知數(shù)

    因此,我們看到基于PAM4信號的400G SR8光模塊上,為了解決系統(tǒng)回波損耗隱患的一個折中方案趨勢,就是由多模MT/PC研磨形式,調(diào)整為多模MT/APC研磨形式,描述如下:

    A,多模MT/MPOAPC研磨類型端接回波損耗(Return Loss)>40dB

    B,PC型MPO/MTP

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    PC vs APC端面對接反射示意

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    3.MT/MPO研磨工藝及Core Dip產(chǎn)能原因

    1)常規(guī)LC/SC/FC等連接器用的陶瓷插芯,一個插芯里一根光纖,為了保證對接時光纖完全接觸,因此陶瓷插芯采用的“球面研磨技術(shù)”,如下圖所示

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    2)而MPO/MTP連接器內(nèi)的MT插芯由于是光纖陣列結(jié)構(gòu),如果采購球面研磨,那么勢必造成中間的光纖能夠?qū)樱瑑蓚?cè)的光纖就接觸不到了。因此MPO/MTP產(chǎn)品只能采用的“平面研磨”

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    3)MPO采用平面研磨,又會帶來一個問題:我們雖然說磨PC面,就是0度,但其實都是有公差的,即+/-0.2度,而且是長軸和短軸兩個方向都存在角度公差。那么兩個MPO產(chǎn)品(平面)對接的時候,因為存在研磨角度公差,光纖之間就會無法接觸,而形成“對接間隙”

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    4)研磨角度公差是必然存在的,那么如何才能解決光纖對接間隙問題。因此就需要讓光纖凸出MT插芯端面,如下圖所示為IEC 61755-3-3對于光纖高度的定義,以及MT干涉儀測量的光纖高度3D/2D圖形:

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    5)為了在研磨過程中實現(xiàn)光纖凸出MT插芯端面來,一般用絨布進行研磨。因為光纖材質(zhì)硬,而MT插芯是PPS塑料材質(zhì),軟一些。因此絨布研磨過程中,絨毛+研磨顆粒,可以實現(xiàn)對塑料MT插芯的切削量比光纖要大,于是就形成了“凸纖”效果

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    6)但是,鑒于絨毛+研磨顆粒的研磨方式,會對材質(zhì)“軟硬度”區(qū)別形成差異,那么光纖纖芯Fiber Core比光纖包層Cladding要軟,因此在研磨凸纖的過程中,也就順帶產(chǎn)生了Core Dip的凹陷,是“nm級單位”,這就是Core Dip的產(chǎn)能機理

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    7)常見修復MT/MPO Core Dip的工藝

    Back-cut研磨工藝:即通過增加一道SiO/CeO拋光研磨,將Fiber球面區(qū)域盡量磨平,降低Core Dip纖芯凹陷,如下圖示意,甚至可以形成纖芯略凸的狀態(tài)

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    Flock Film研磨工藝:通過降低MT/MPO凸纖研磨的絨布作用效果,減小Core Dip形成

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    4.總結(jié)

    市場需求是一切技術(shù)進步的推動力,光模塊產(chǎn)品正在迎接400G以及5G等新市場需求的到來,產(chǎn)品技術(shù)的變革是必然趨勢,有源與無源的技術(shù)協(xié)調(diào)及整合也將更為緊密。

    天孚光通信,作為國內(nèi)光無源器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍者,正在利用我們多年的技術(shù)經(jīng)驗沉淀,理論分析能力,試驗平臺優(yōu)勢等資源,助力高端有源光模塊客戶將新一代產(chǎn)品更快速的推向市場,這是天孚人自始秉承的經(jīng)營理念。

    作者:張雨

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